doc_act

ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Реклама

  Скачать документ



МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols

ГОСТ
20003-74

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена

01.07.75



Реклама

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.



Реклама

Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.

В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.



Реклама

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.

Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона tвкл.ст; время включения биполярного транзистора tвкл.б.т; время включения полевого транзистора tвкл.п.т.

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

1. Обратный ток коллектора

D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)

E. Collector cut-off current

F. Courant residuel du collecteur

IКБО

IСВО

Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

2. Обратный ток эмиттера

D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)

E. Emitter cut-off current

F. Courant residuel de l'emetteur

IЭБО

IЕВО

Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора

3. Обратный ток коллектор-эмиттер

Ндп. Начальный ток коллектора

Ток коллектора закрытого транзистора

D. Kollektor- Emitter- Reststrom

E. Collector-emitter cut-off current

F. Courant residuel du collecteur-emetteur

-

Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер

1 При разомкнутом выводе базы IКЭО, IСЕO; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER; при заданном обратном напряжении эмиттер-база Iкэх, IСЕХ.

4. Обратный ток базы

D. Basis-Emitter-Reststrom

E. Base cut-off current

F. Courant residuel de la base

IБЭХ

IВЕХ

Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база

5. Критический ток биполярного транзистора

Iкр

Значение тока коллектора, при достижении которого значение fгр (|h21э|) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер

6. Граничное напряжение биполярного транзистора

Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера

UКЭОгр

U(L)CEO

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера

7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung

E. Saturation collector-emitter voltage

F. Tension de saturation collecteur-emetteur

UКЭнас

UCЕsat

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

8. Напряжение насыщения база-эмиттер

D. Basis-Emitter-Sattigungsspannung

E. Saturation baseemitter voltage

F. Tension de saturation base-emetteur

UБЭнас

UВЕsat

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

9. Плавающее напряжение эмиттер-база

E. Floating emitter-base voltage

F. Tension flottante emetteur-base

UЭБпл

UЕВfl

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю

10. Напряжение смыкания биполярного транзистора

E. Punch-through (penetration) voltage

F. Tension de penetration (tension de persage)

Ucмк

Upt

Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база

11. Пробивное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown emitter-base voltage

F. Tension de claquage emetteur-base

UЭБОпроб

U(BR)ЕВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown collector-base voltage

F. Tension de claquage collecteur-base

UКБОпроб

U(BR)СВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Breakdown collector-emitter voltage

F. Tension de claquage collecteur-emetteur

-

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора

1 При токе базы, равном нулю, UКЭОпроб, U(BR)СВО;

при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭRпроб, U(BR)СER;

при коротком замыкании в цепи база-эмиттер UКЭКпроб, U(BR)СES;

при заданном обратном напряжении база-эмиттер UКЭXпроб, U(BR)СEX.

14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignaleingangswiderstand

E. Small-signal value of the short-circuit input impedance

F. Valeur de l'impedance d'entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

h*11

h11

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора

15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalspannungsruckwirkung

E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux

h*12

h12

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току

16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalstromverstarkung

E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux

h*21

h21

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току

17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

D. Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF

E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Module du rapport de transfert direct du courant

|h21э|

|h21е|

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте

18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalausgangsleitwert

E. Small-signal value of the open-circuit output admittance

F. Valeur de l'admittance de sortie, entree en circuit ouvert pour de petits signaux

h*22

h22

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току

19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

E. Static value of the input resistance

F. Valeur statique de la resistance d'entree

h11Э

h11Е

Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером

20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора

D. Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung

E. Static value of the forward current transfer ratio

F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant

h21Э

h21Е

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером

21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit input admittance

F. Valeur de l'admittance d'entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

y*11

y11

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalruckwirkungsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux

y*12

y12

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе

23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalubertragungsleitwert vorwarts

E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux

y*21

y21

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора

D. Betrag des Ubertragungsleitwerts vorwarts

E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F. Module de l'admittance de transfert direct

|y21э|

|y21е|

Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit output admittance

F. Valeur de l'admittance de sortie, entree en court-circuit pour de petits signaux

y*22

y22

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики

D. Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung

E. Static value of the forward transconductance

F. Pente statique de transfert direct

y21Э

y21Е

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер

27. Входная емкость биполярного транзистора

D. Eingangskapazitat

E. Input capacitance

F. Capacite d'entree

С*11

С11

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D. Ausgangskapazitat

E. Output capacitance

F. Capacite de sortie

С*22

С22

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора

D. Ruckwirkungskapazitat

E. Feedback capacitance

F. Capacite de couplage a reaction

С*12

С*12

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

D. Grenzfrequenz der Stromverstarkung

E. Cut-off frequency

F. Frequence de conpure

fh21

fh21

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D. Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz)

E. Transition frequency

F. Frequence de transition

fгр

fт

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора

E. Maximum frequency of oscillation

F. Frequence maximale d'oscillation

fmax

fmax

Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D. Rauschzahl

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

Kш

F

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора

D. Minimale Rauschzahl

E. Minimal noise figure

F. Facteur de bruit minimum

Kшmin

Fmin

Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума

32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора

D. Aquivalente Rauschspannung

E. Equivalent noise voltage

F. Tension de bruit equivalente

Uш

Un

Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора

Ндп. Степень насыщения

E. Saturation coefficient

F. Coefficient de saturation

Кнас

Кsat

Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения

34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Leistungsverstarkung

E. Power gain

F. Gain en puissance

КyP

GP

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Optimale Leistungsverstarkung

E. Optimal power gain

F. Gain de puissance optimum

КyPonm

GPopt

Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума

35. Коэффициент полезного действия коллектора

D. Kollektorwirkungsgrad

E. Collector efficiency

F. Efficacite du collocteur

?K

?C

Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzogerungszeit

E. Delay time

F. Retard a la croissance

tзд

td

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

tнр

tr

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

38. Время рассасывания для биполярного транзистора

D. Speicherzeit

E. Carrier storage time

F. Retard a la decroissance

tрас

ts

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de decroissance

tсп

tf

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

40. Время включения биполярного транзистора

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total d'etablissement

tвкл

ton

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

41. Время выключения биполярного транзистора

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

tвыкл

toff

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения

42. Сопротивление базы биполярного транзистора

D. Basisbahnwiderstand

E. Base intrinsic resistance

F. Resistance intrinseque de base

r'K

r'bb

Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер

43. Емкость эмиттерного перехода

D. Kapazitat der Emittersperrschicht

E. Emitter capacitance

F. Capacite emetteur

Cэ

Cе

Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи

44. Емкость коллекторного перехода

D. Kapazitat der Kollektorsperrschicht

E. Collector capacitance

F. Capacite collecteur

Cк

Cс

Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи

45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

D. HF-Ruckwirkungszeitkonstante

E. Collector-base time constant

ts

tc

Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода

46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

D. Eingangsreflexionsfaktor

S*11

S*11

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

47. Коэффициент обратной передачи напряжения

D. Spannungsubertragungsfaktor ruckwarts

S*12

S*12

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

48. Коэффициент прямой передачи напряжения

D. Spannungsubertragungsfaktor vorwatrs

S*21

S*21

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора

D. Ausgangsreflexionsfaktor

S*22

S*22

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

50. Постоянный ток коллектора

D. Kollektorgleichstrom

E. Collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur

IK

IC

Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход

51. Постоянный ток эмиттера

D. Emittergleichstrom

E. Emitter (d.c.) current

F. Courant continu d'emetteur

IЭ

IЕ

Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход

52. Постоянный ток базы

D. Basisgleichstrom

E. Base (d.c.) current

F. Courant continu de base

IБ

IВ

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод

53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E. Saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur

IKнас

ICsat

-

54. Постоянный ток базы в режиме насыщения

E. Saturation base current

F. Courant de saturation base

IБнас

IBsat

-

55. Импульсный ток коллектора

IK,и

-

Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

IЭ,и

-

Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Spannung

E. Emitter-base (d.с.) voltage

F. Tension continue emetteur-base

U1ЭБ

U1ЕБ

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

58. Постоянное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Spannung

E. Collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base

U2КБ

U2СВ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-emetteur

U3КЭ

U3СЕ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0.

2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0.

3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО;

при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UKЭR, UCЕR.

при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UкэК, UCЕS;

при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база UКЭХ, UCЕX.

60. Выходная мощность биполярного транзистора

D. Ausgangsleistung

E. Output power

Рвых

Рout

Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте

61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Gesamtverlustleistung

E. Total input power (d.c.) to all electrodes

F. Puissance totale d'entree (continue) de toutes les electrodes

Р

Рtot

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе

62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D Mittlere Verlustleistung

E. Total input power (average) to all electrodes

F. Puissance totale d'entree (moyenne) de toutes les electrodes

Рср

РAV

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Impulsverlustleistung

E. Peak power dissipation

F. Puissance dissipee de crete

Ри

РМ

-

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung

E. Collector (d.c.) power dissipation

F. Puissance dissipee (continue) au collecteur

РК

РС

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора

D. Mittlere Kollektorverlustleistung

E. Collector (average) power dissipation

F. Ruissance dissipee (moyenne) au collecteur

РК.ср

Рс(AV)

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора

Е Peak envelope power

Рвых,п.о

Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.

Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами

65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

Е Third order intermodulation products factor

М3

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора

Е Fifth order intermodulation products factor

Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**

М5

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора

D. Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom

E. Maximum collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur maximal

IКmax

IСmax

-

67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

D. Maximal zulassiger Emittergleichstrom

E. Maximum emitter (d.c.) current

F. Courant continu d'emetteur maximal

IЭmax

IЕmax

-

68. Максимально допустимый постоянный ток базы

D. Maximal zulassiger Basisgleichstrom

E. Maximum base (d.c.) current

F. Courant continu de base maximal

IБmax

IВmax

-

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

D. Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom

E. Maximum peak collector current

F. Courant de crete de collecteur maximal

IК,и max

IСМmax

-

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

D. Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom

E. Maximum peak emitter current

F. Courant de crete d'emetteur maximal

IЭ,и max

IЕМmax

-

71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E. Maximum saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur maximal

IК нас max

IС sat max

-

72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения

E. Maximum saturation base current

F. Courant de saturation base maximal

IБ нас max

IВ sat max

-

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D. Maximal zulassige Emitter-Basis-Gleichspannung

E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue emetteur-base maximale

IЭБ max

IЕВ max

-

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulassige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

UКБ max

UСВ max

-

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D. Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-emetteur maximale

UКЭ max

UСЕ max

-

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D. Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de crete collecteur-emetteur maximale

UКЭ, и max

UСЕМ max

-

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-base voltage

F. Tension de crete collector-base maximale

UКБ, и max

UСВМ max

-

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Maximal zulassige Kollektorverlustleistung

E. Maximum collector power dissipation (d.c.)

F. Puissance dissipee au collecteur (continue) maximale

РК max

РC max

-

79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора

E. Maximum collector power dissipation (average)

F. Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale

РК, ср max

-

-

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulassige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipee de crete maximale

Ри max

РМ max

-

* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.



Реклама

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения биполярного транзистора

40

Время выключения биполярного транзистора

41

Время задержки для биполярного транзистора

36

Время нарастания для биполярного транзистора

37

Время рассасывания для биполярного транзистора

38

Время спада для биполярного транзистора

39

Емкость биполярного транзистора входная

27

Емкость биполярного транзистора выходная

28

Емкость коллекторного перехода

44

Емкость обратной связи биполярного транзистора

28а

Емкость эмиттерного перехода

43

Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора

65в

Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

65б

Коэффициент насыщения биполярного транзистора

33

Коэффициент обратной передачи напряжения

47

Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала

15

Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

46

Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора

49

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала

16

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический

20

Коэффициент полезного действия коллектора

35

Коэффициент прямой передачи напряжения

48

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

34

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный

34а

Коэффициент шума биполярного транзистора

32

Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный

32а

Крутизна передаточной характеристики статическая

26

Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая

26

Крутизна характеристики статическая

26

Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

17

Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора

24

Мощность биполярного транзистора выходная

60

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная

63

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая

80

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная

61

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя

62

Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная

65а

Мощность коллектора рассеиваемая постоянная

64

Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая

78

Мощность коллектора рассеиваемая средняя

65

Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая

79

Напряжение биполярного транзистора граничное

6

Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое

77

Напряжение коллектор-база постоянное

58

Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое

74

Напряжение коллектор-база пробивное

12

Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое

76

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное

59

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое

75

Напряжение коллектор-эмиттер пробивное

13

Напряжение насыщения база-эмиттер

8

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

7

Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера

6

Напряжение смыкания биполярного транзистора

10

Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное

32б

Напряжение эмиттер-база плавающее

9

Напряжение эмиттер-база постоянное

57

Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое

73

Напряжение эмиттер-база пробивное

11

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

45

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная

21

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная

18, 25

Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная

22

Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная

23

Сопротивление базы биполярного транзистора

42

Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное

19

Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное

14

Степень насыщения

33

Ток базы обратный

4

Ток базы постоянный

52

Ток базы постоянный в режиме насыщения

54

Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый

72

Ток базы постоянный максимально допустимый

68

Ток биполярного транзистора критический

5

Ток коллектора закрытого транзистора

3

Ток коллектора импульсный

55

Ток коллектора импульсный максимально допустимый

69

Ток коллектора начальный

3

Ток коллектора обратный

1

Ток коллектора постоянный

50

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения

53

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый

71

Ток коллектора постоянный максимально допустимый

66

Ток коллектор-эмиттер обратный

3

Ток эмиттера импульсный

56

Ток эмиттера импульсный максимально допустимый

70

Ток эмиттера обратный

2

Ток эмиттера постоянный

51

Ток эмиттера постоянный максимально допустимый

67

Частота генерации биполярного транзистора максимальная

31

Частота коэффициента передачи тока граничная

30

Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная

29

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit

39

Anstiegszeit

37

Aquivalente Rauschspannung

32б

Ausgangskapazitat

28

Ausgangsleistung

60

Ausgangsreflexionsfaktor

49

Ausschaltzeit

41

Basisbahnwiderstand

42

Basis-Emitter-Reststrom

4

Basis-Emitter-Sattigungsspannung

8

Basisgleichstrom

52

Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF

17

Betrag des Ubertragungsleitwertes vorwarts

24

Eingangskapazitat

27

Eingangsreflexionsfaktor

46

Einschaltzeit

40

Emitter-Basis-Durchbruchspannung

11

Emitter-Basis- Spannung

57

Emittergleichstrom

51

Emitterrestrom (bei offenem Kollektor)

2

Gesamtverlustleistung

61

Gleichstrom-Kollektorverlustleistung

64

Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung

20

Grenzfrequenz der Stromverstarkung

29

HF-Ruckwirkungszeitkonstante

45

Impulsverlustleistung

63

Innerer Warmewiderstand

65а

Kapazitat der Emittersperrschicht

43

Kapazitat der Kollektorsperrschicht

44

Kleinsignalausgangsleitwert

18

Kleinsignaleingangswiderstand

14

Kleinsignalspannungsruckwirkung

15

Kleinsignalstromverstarkung

16

Kollektor-Basis-Durchbrachspannung

12

Kollektor-Basis-Spannung

58

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

13

Kollektor-Emitter-Reststrom

3

Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung

7

Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

59

Kollektorgleichstrom

50

Kollektorreststrom (bei offenen Emitter)

1

Kollektorwirkungsgrad

35

Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert

25

Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

21

Komplexer Kleinsignalruckwirkwungsleitwert

22

Komplexer Kleinsignalubertragungsleitwert vorwarts

23

Leistungsverstarkung

34

Maximal zulassige Emitter-Basis-Gleichspannung

73

Maximal zulassige Impulsverlustleistung

80

Maximal zulassige Kollektor-Basis-Gleichspannung

74

Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung

77

Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

75

Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

76

Maximal zulassige Kollektorverlustleistung

78

Maximal zulassiger Basisgleichstrom

68

Maximal zulassiger Emittergleichstrom

67

Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom

70

Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom

66

Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom

69

Minimale Rauschzahl

32а

Mittlere Kollektorverlustleistung

65

Mittlere Verlustleistung

62

Optimale Leistungsverstarkung

34а

Rauschzahl

32

Ruckwirkungskapazitat

28а

Spannungsubertragungsfaktor ruckwarts

47

Spannungsubertragungsfaktor vorwarts

48

Speicherzeit

38

Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung

26

Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz)

30

Verzogerungszeit

36

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Base cut-off current

4

Base (d.с.) current

52

Base intrinsic resistance

42

Breakdown collector-base voltage

12

Breakdown collector-emitter voltage

13

Breakdown emitter-base voltage

11

Carrier storage time

38

Collector (average) power dissipation

65

Collector-base (d.c.) voltage

58

Collector-base time constant

45

Collector capacitance

44

Collector cut-off current

1

Collector (d.c.) current

50

Collector (d.c.) power dissipation

64

Collector efficiency

35

Collector-emitter cut-off current

3

Collector-emitter (d.c.) voltage

59

Cut-off frequency

29

Delay time

36

Emitter-base (d.c.) voltage

57

Emitter capacitance

43

Emitter cut-off current

2

Emitter (d.c.) current

51

Equivalent noise voltage

32а

Fall time

39

Feedback capacitance

28а

Fifth order intermodulation products factor

65а

Floating emitter-base voltage

9

Input capacitance

27

Maximum base (d.c.) current

68

Maximum collector-base (d.c.) voltage

74

Maximum collector (d.c.) current

66

Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

75

Maximum collector power dissipation (average)

79

Maximum collector power dissipation (d.c.)

78

Maximum emitter-base (d.c.) voltage

73

Maximum emitter (d.c.) current

67

Maximum frequency of oscillation

31

Maximum peak collector-base voltage

77

Maximum peak collector current

69

Maximum peak collector-emitter voltage

76

Maximum peak emitter current

70

Maximum peak power dissipation

80

Maximum saturation base current

72

Maximum saturation collector current

71

Minimal noise figure

32а

Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio

17

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

24

Noise figure

32

Optimal power gain

34а

Output capacitance

28

Output power

60

Peak envelope power

65а

Peak power dissipation

63

Power gain

34

Punch-through (penetration) voltage

10

Rise time

37

Saturation base current

54

Saturation base-emitter voltage

8

Saturation coefficient

33

Saturation collector current

53

Saturation collector-emitter voltage

7

Small-signal value of the open-circuit output admittance

18

Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio

15

Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio

16

Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

23

Small-signal value of the short-circuit input admittance

21

Small-signal value of the short-circuit input impedance

14

Small-signal value of the short-circuit output admittance

25

Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

22

Static value of the forward current transfer ratio

20

Static value of the forward transconductance

26

Static value of the input resistance

19

Third order intermodulation products factor

65б

Total input power (average) to all electrodes

62

Total input power (d.c.) to all electrodes

61

Transition frequency

30

Turn-off time

41

Turn-on time

40

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Capacite collecteur

44

Capacite emetteur

43

Capacite de couplage a reaction

28а

Capacite d'entree

27

Capacite de sortie

28

Coefficient de saturation

33

Courant continu de base

52

Courant continu de base maximal

68

Courant continu de collecteur

50

Courant continu de collecteur maximal

66

Courant continu d'emetteur

51

Courant continu d'emetteur maximal

67

Courant de crete de collecteur maximal

69

Courant de crete d'emetteur maximal

70

Courant de saturation base

54

Courant de saturation base maximal

72

Courant de saturation collecteur

53

Courant de saturation collecteur maximal

71

Courant residuel de la base

4

Courant residuel de l'emetteur

2

Courant residuel du collecteur

1

Courant residuel du collecteur-emetteur

3

Efficacite du collecteur

35

Facteur de bruit

32

Facteur de bruit minimum

32а

Frequence de coupure

29

Frequence de transition

30

Frequence maximale descillation

31

Gain de puissance optimum

34а

Gain en puissance

34

Module de l'admittance de transfert direct

24

Module de rapport de transfert direct du courant

17

Pente statique de transfert direct

26

Retard a la croissance

36

Retard a la decroissance

38

Pesistance intrinseque de base

42

Puissage dissipee au collecteur (continue) maximale

78

Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale

79

Puissance dissipee (continue) au collecteur

64

Puissance dissipee de crete

63

Puissance dissipee de crete maximale

80

Puissance dissipee (moyenne) au collecteur

65

Puissance totale d'entree (continue) de toutes les electrodes

61

Puissance totale d'entree (moyenne) de toutes les electrodes

62

Temps de croissance

37

Temps de decroissance

39

Temps total de coupure

41

Temps total d'etablissement

40

Tension continue collecteur-base

58

Tension continue collecteur-base maximale

74

Tension continue collecteur-emetteur

59

Tension continue collecteur-emetteur maximale

75

Tension continue emetteur-base

57

Tension continue emetteur-base maximale

73

Tension de bruit equivalente

32б

Tension de claquage collecteur-base

12

Tension de claquage collecteur-emetteur

13

Tension de claquage emetteur-base

11

Tension de crete collecteur-base maximale

77

Tension de crete collecteur-emetteur maximale

76

Tension de penetration (tension de persage)

10

Tension de saturation base-emetteur

8

Tension de saturation collecteur-emetteur

7

Tension flottante emetteur-base

9

Valeur de l'admittance d'entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

21

Valeur de l'admittance de sortie, entree en circuit ouvert pour de petits signaux

18

Valeur de l'admittance de sortie, entree en courant-citcuit pour de petits signaux

25

Valeur le l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux

23

Valeur de l'admittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux

22

Valeur de l'impedance d'entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

14

Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux

16

Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux

15

Valeur statique de la resistance d'entree

19

Valeur statique du rapport de transfert direct du courant

20

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).



Реклама




Реклама: ;


Самые популярные документы раздела



Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика