doc_act

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

Реклама

  Скачать документ



МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

Термины и определения

Semiconducting photoelectric detectors and receiving
photoelectric devices.
Terms, and definitions

ГОСТ
21934-83

Взамен
ГОСТ 21934-76,
ГОСТ 22899-78

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 дата введения установлена

01.07.84



Реклама

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787-82 в части раздела 2.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.



Реклама

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте имеется приложение 1, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор

D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement

E. Photosensitive semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur photosensible

-

-

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра

2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

ФЭПП

D. Halbleiterphotoelement

E. Photoelectric semiconductor detector

F. Detecteur a semi-conducteur photoelectrique

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике

3. Фотоприемное устройство

ФПУ

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию

ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоспектральный ФЭПП

D. Multispektralphotoempfanger

E. Multi-band photodetector

F. Photodetecteur a plusieurs gammes

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности

5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D. Einelementphotoempfanger

E. Single-element detector

F. Detecteur a element unique

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент

6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоэлементный ФЭПП

D. Vielelementphotoempfanger

E. Multi-element detector

F. Detecteur multiple

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.

Примечание. Допускается применять термин «двух-, трех-, четырехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Координатный ФЭПП

D. Ortsempfindlicher Photoempfanger

E. Position-sensitive detector

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности

8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Гетеродинный ФЭПП

D. Uberlagerungsphotoempfanger

E. Heterodyne detector

F. Detecteur heterodyne

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения

9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Иммерсионный ФЭПП

D. Immersionsphotoempfanger

E. Immersed detector

F. Detecteur a immersion

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал

10. Фоторезистор

D. Photowiderstand

E. Photoconductive cell

F. Cellule photoinductive

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости

11. Фотодиод

D. Photodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

-

-

Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект

12. p-i-n фотодиод

D. Pin-Photodiode

E. Pin-Photodiode

F. Pin-Photodiode

-

-

Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной

13. Фотодиод с барьером Шоттки

D. Schottky-Photodiode

E. Schottky-Barrier-Photodiode

-

-

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

D. Photodiode mit Heteroubergang

E. Heterojunction photodiode

-

-

Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны

15. Лавинный фотодиод

D. Lawinenphotodiode

E. Avalanche photodiode

F. Photodiode a avalanche

-

-

Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжекционный фотодиод

D. Injektionsphotodiode

E. Injection photodiode

F. Photodiode d'injection

-

-

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

17. Фототранзистор

D. Phototransistor

E. Phototransistor

F. Phototransistor

-

-

Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект

18. Полевой фототранзистор

D. Photofeldeffekttransistor

E. Field effect phototransistor

F. Phototransistor a effet de champ

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора

19. Биполярный фототранзистор

D. Bipolarphototransistor

E. Bipolar phototransistor

F. Phototransistor bipolaire

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора

20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Охлаждаемый ФЭПП

D. Gekuhlter Photoempfanger

E. Cooled detector

F. Photodetecteur refroidi

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента

ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

21. Одноэлементное фотоприемное устройство

Одноэлементное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами

Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами

-

-

Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов

23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией

Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией

-

-

Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов

24. Многоспектральное фотоприемное устройство

Многоспектральное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки

26. Охлаждаемое фотоприемное устройство

Охлаждаемое ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

27. Монолитное фотоприемное устройство

Монолитное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке

28. Гибридное фотоприемное устройство

Гибридное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОФ

D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoemp-fangers

E. Background limited photodetector

F. Regime photodetecteur infrarouge limite par le rayonnement ambiant

-

-

Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона

30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей

31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ТГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией

32. Фотодиодный режим

D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

E. Back-biased mode of photovoltaic detector operation

F. Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique au contretension de polarisation

-

-

Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении

33. Лавинный режим работы фотодиода

D. Tragerlawinenzustand der Photodiode

E. Avalanche mode of photodiode operation

-

-

Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода

34. Фотогальванический режим

D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle

E. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

F. Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique

-

-

Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения

35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой

D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis

E. Floating-base phototransistor operation

F. Regime du phototransistor de basis flottante

-

-

Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе

36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим короткого замыкания ФЭПП

D. Kurzschlussbetrieb des Phtoempfangers

E. Short-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du detecteur a court-circuit

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП

37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим холостого хода ФЭПП

D. Leerlaufbetrieb des Photoempfangers

E. Open-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du detecteur a circuit ouvert

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки

38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

D. Photoempfangerbetriebsweise bei Anpassung

E. Matched impedance mode of detector operation

F. Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de charge

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП

39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

D. Photoempfangerbetriebsweise bei Uberlagerangsempfang

E. Heterodyne reception mode of detector operation

F. Regime de fonctionnement du detecteur operation

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала

КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Фоточувствительный элемент

D. Lichtempfindliches Element eines Photoempfangers

E. Detector sensitive element

F. Element sensible du detecteur

-

-

Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения

41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Вывод ФЭПП

D. Photoempfangeranschluss

E. Detector terminal

F. Branchement du detecteur

-

-

Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Контакт фоточувствительного элемента

-

-

Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом

43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Корпус ФЭПП

D. Photoempfangergehause

E. Photodetector package

F. Boitier du detecteur

-

-

Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов

44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Иммерсионный элемент ФЭПП

D. Photoempfangerimmersionselement

E. Detector optical immersion element

F. Element a immersion du detecteur

-

-

Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения

45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Подложка ФЭПП

D. Schichttrager des Photoempfangers

E. Detector-film base

-

-

Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой

46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Входное окно ФЭПП

D. Photoempfangereingangsfenster

E. Detector window

F. Fenetre du detecteur

-

-

Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу

47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Апертурная диафрагма ФЭПП

D. Aperturblende des Photoempfangers

E. Detector aperture stop

F. Diaphragme d'ouverture du detecteur

-

-

Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

48. Выход фотоприемного устройства

-

-

Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью

ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D. Betriebsspannung

E. Operating voltage

F. Tension de regime

Tension de service

Up

Uop

Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

50. Пробивное напряжение фотодиода

D. Durchbruchspannung einer Photodiode

E. Breakdown voltage of a photodiode

F. Tension de claquage de photodiode

Uпр

UBR

Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения

51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП

D. Maximal zulassige Spannung

E. Maximum admissible voltage

F. Tension maximale admissible

Umax

Umax

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП

D. Isolationsfestigkeit

E. Insulating strength

F. Rigidite d'isolement

uиз

ui

Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции

53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

D. Differentieller electrischer Widerstand

E. Differential electrical resistance

F. Resistance differentielle electrique

Rд

Rd

Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП

54. Статическое сопротивление ФЭПП

D. Statischer Widerstand

E. Static resistance

F. Resistance statique

Rc

Rs

Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току

55. Темновое сопротивление ФЭПП

D. Dunkelwiderstand

E. Dark resistance

F. Resistance d'obscurite

Rt

Rd

Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении

D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode

E. Zero bias resistance of a photodiode

F. Resistance du point zero de photodiode

R0

R0

Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

57. Световое сопротивление ФЭПП

D. Hellwiderstand

E. Resistance under illumination

F. Resistance sous eclairement

RE

RE, RH

Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности

58. Темповой ток ФЭПП

D. Dunkelstrom

E. Dark current

F. Courant d'obscurite

It

Id

Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

59. Фототек ФЭПП

D. Photostrom

E. Photocurrent

F. Photocourant

IФ

Ip

Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

60. Общий ток ФЭПП

D. Gesamtstrom

E. Total current

F. Courant total

Iобщ

Itot

Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока

61. Напряжение фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalspannung

E. Photoelectric signal voltage

F. Tension de signal photoelectrique

uc

us

Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.

Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке

62. Ток фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalstrom

E. Photoelectric signal current

F. Courant de signal photoelectrique

Ic

Is

Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала

ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**

63. Чувствительность ФЭПП

D. Ansprechempfindlichkeit

E. Responsivity

F. Reponse

s

s

Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной

64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

D. StrahlungsfluPempfindUchkeit

E. Radiant flux responsivity

F. Reponse au flux energetique

-

65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку

D. Lichtstromempfindlichkeit

E. Luminous flux responsivity

F. Reponse au flux lumineux

SФ

-

66. Чувствительность ФЭПП к облученности

D. Bestrahlungstarkeempfindlichkeit

E. Irradiance responsivity

F. Reponse a l'eclairement energetique

-

67. Чувствительность ФЭПП к освещенности

D. Beleuchtungsstarkeempfindlichkeit

E. Illumination responsivity

F. Reponse a l'eclairement lumineux

Se

-

68. Токовая чувствительность ФЭПП

D. Stromempfindlichkeit

E. Current responsivity

F. Reponse en courant

Si

Si

-

69. Вольтовая чувствительность ФЭПП

D. Spannungsempfindlichkeit

E. Voltage responsivity

F. Reponse en tension

su

sv

-

70. Интегральная чувствительность ФЭПП

D. Gesamtempfindlichkeit

E. Total responsivity

F. Reponse globale

Sинт

Stot

Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава

71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП

D. Monochromatische Empfindlichkeit

E. Monochromatic responsivity

F. Reponse monochromatique

S?

S?

Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению

72. Статическая чувствительность ФЭПП

D. Statische Empfindlichkeit

E. Static responsivity

F. Reponse statique

Sст

sst

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП

D. Differentielle EmpfindUchkeit

E. Differential responsivity

F. Reponse differentielle

SД

sd

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

74. Импульсная чувствительность ФЭПП

D. Impulsempfindlichkeit

E. Pulse responsivity

F. Reponse d'impulsions

Sимп

Sp

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции

75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора

D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie

E. ffluminance-resistance characteristique slope

F. Pente de caracteristique eclairementresistance

?

?

Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе

ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП

76. Ток шума ФЭПП

D. Rauschstrom

E. Noise current

F. Courant de bruit

Iш

In

Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот

77. Напряжение шума ФЭПП

D. Rauschspannung

E. Noise voltage

F. Tension de bruit

Uш

Un

Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот

78. Порог чувствительности ФЭПП

Порог

D. Aquivalente Rauschleistung

E. Noise equivalent power

F. Puissance equivalente au bruit

Фп

Фmin,

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь

79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

Порог в единичной полосе частот

D. Aquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband

E. Unit frequency bandwidth noise equivalent power

F. Puissance equivalente au bruit dans une bande passante des frequences unitaire

Фп1

NEP

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения

80. Удельный порог чувствительности ФЭПП

Удельный порог

D. Spezifischc aquivalente Rauschleistung

E. Specific noise equivalent power

F. Puissance reduite equivalente au bruit

Фп*

NEP*

Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу

81. Обнаружительная способность ФЭПП

D. Nachweisfahigkeit

R. Detectivity

F. Detectivite

D

D

Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП

82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП

D. Spezifischc Nachweisfahigkeit

E. Specific detectivity

F. Detectivite reduite

D*

D*

Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП

83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП

E. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)

F. Puissance equivalente au bruit du philra detecteur

ФBLIP

Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры

ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

D. Wellenlange der maximalen Spektralempfindlichkeit

E. Peak spectral response wavelength

F. Longueur d'onde de la sensibilite spectrale maximale

?max

?S

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности

85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Kurzwellengrenze

E. Short wavelength limit

?'

Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Langwellengrenze

E. Long wavelength limit

?''

Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

87. Область спектральной чувствительности ФЭПП

D. Spektralcr Empfindlichkeitsbereich

E. Spectral sensitivity range

F. Part sensible spectral

D?

D?

Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения

ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

D. Effektivflache des Fuhlelements

E. Effective area of the responsive element

F. Aire efficace de 1'element detecteur

АЭФФ

Aeff

Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувствительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.

Примечание. Определяется

соотношением

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

где S (x, у) - чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами (х, у);

А - площадь этого фоточувствительного элемента.

В качестве номинального значения локальной чувствительности SN как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке, х0, у0). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора SN оговаривается дополнительно

89. Плоский угол зрения ФЭПП

D. Gesichtsfeldwinkel

E. Angular field of view

F. Angle d'ouverture

2b

2b

Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

90. Эффективное поле зрения ФЭПП

D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel

E. Effective weighted solid angle

F. Angle solide efficace

?эфф

?eff

Телесный угол, определяемый соотношением

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

где Uc -напряжение фотосигнала ФЭПП;

допускается замена параметра UC на 1с, IФ

? - угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу;

j - азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП

91. Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

D. Anstiegszeit der normierten Ubergangskennlinie

E. Rise time of the normalized transfer characteristic

F. Temps de montee de caracteristique de transmission normalisee

t0,1 - 0,9

tr

Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

92. Время спада ФЭПП

Время спада

D. Abfallzeit der normierter Umkehrubergangskennhnie

E. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

F. Temps de descente de caracteristique de transmission inverse normalisee

t0,9 - 0,1

tf

Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к

Время установления

D. Einstellzeit der normierten Ubergangskennlinie

E. Set-up time of the normalized transfer characteristic

F. Temps d'etablissement caracteristique de transmission normalisee

-

Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h0 (t) от установившегося значения не превышает k.

/1 - h0 (t) / ? k при t ? tуст k

94. Предельная частота ФЭПП

D. Grenzfrequenz

E. Cut-off frequency

F. Frequence de coupure

f0

fg

Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении

95. Емкость ФЭПП

D. Kapazitat

E. Capacitance

F. Capacite

С

С

96. Последовательное сопротивление фотодиода

D. Reihenwiderstand einer Photodiode

E. Series resistance

F. Resistance serie

Rпосл

RS

Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода

ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП

97. Число элементов ФЭПП

D. Fuhlelementenanzahl

E. Element number

F. Nombre des elements

N

-

-

98. Шаг элементов ФЭПП

D. Rastermass

E. Pitch

F. Ecartement

h

Р

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП

99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

D. Fuhlelementenabstand

E. Element spacing

F. Espacement des elements

Dl

Dl

Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП

Отношение напряжения сигнала с

100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor

E. Photoelectric coupling coefficient

F. Coefficient de couplage photoelectrique

Кфс

Kc

необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики

101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

D. Parameterstreuung

E. Figure ol merit straggling

F. Dispersion de figure de merite

?x

?x

Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.

Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра

ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

D. Kollektorspannung

E. Collector voltage

F. Tension du collecteur

UCB

Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

UCE

103. Напряжение на эмиттере фототранзистора

D. Emitterspannung

E. Emitter voltage

F. Tension d'emetteur

UEB

Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

UEC

104. Напряжение на базе фототранзистора

D. Basisspannung

E. Base voltage

F. Tension de base

UBE

Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

UBC

105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-emetteur de phototransistor

Ubr ceo

Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-base de

phototransistor

Ubr cbo

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors

E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage emetteur-base de

pbototransistor

Ubr ebo

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors

E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage emetteur-collecteur de phototransistor

Ubr eco

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

109. Темновой ток коллектора фототранзистора

D. Kollektordunkelstrom

E. Collector dark current

F. Courant d'obscurite du collecteur

ICEO, ICBO, ICCO

-

110. Темновой ток эмиттера фототранзистора

D. Emitterdunkelstrom

E. Emitter dark current

F. Courant d'obscurite d'emetteur

IEBO, IEEO, IECO

-

111. Темновой ток базы фототранзистора

D. Basisdunkelstrom

E. Base dark current

F. Courant d'obscurite de base

IBBO, IBEO, IBCO

-

112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

E. Collector-emitter dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurite collecteur-emetteur de phototransistor

ICEO

Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Collector-base dark current of a photo-transistor

F. Courant d'obscurite collecteur-base de phototransistor

ICBO

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-base dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurite emetteur-base de phototransistor

IEBO

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-collector dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurite emetteur-collecteur de phototransistor

IECO

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

116. Фототок коллектора фототранзистора

D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors

E. Collector photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant du collecteur de phototransistor

IСЕН, IСВН, IССН

-

117. Фототок эмиттера фототранзистора

D. Emitterphotostrom eines Phototransistors

E. Emitter photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant d'emetteur de phototransistor

IЕBН ,IEEН, IEСН

-

118. Фототок базы фототранзистора

D. Basisfotostrom eines Phototransistors

E. Base photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant de base de phototransistor

IBBН ,IBEН, IBСН

-

119. Общий ток коллектора фототранзистора

D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector total current of a phototransistor

F. Courant total du collecteur de phototransistor

ICE ,ICB, IСC

-

120. Общий ток эмиттера фототранзистора

D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors

E. Emitter total current of a phototransistor

F. Courant total d'emetteur de phototransistor

IEB ,IEE, IEC

-

121. Общий ток базы фототранзистора

D. Basisgesamtstrom eines Phototransis-tors

E. Base total current of a phototransistor

F. Courant total de base de phototransistor

IBB ,IBE, IBC

-

122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-emitter total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-emetteur de phototransistor

IСЕН

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

123. Общий ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-base total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-base de phototransistor

IСBН

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

124. Токовая чувствительность фототранзистора

D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors

E. Current responsivity of the phototransistor

F. Reponse en courant du phototransistor

-

Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

125. Вольтовая чувствительность фототранзистора

D. SpannungsempfmdUchkeit eines Phototransistors

E. Voltage responsivity of the phototransistor

F. Reponse en tension du phototransistor

-

Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

D. Photostromverstarkungsfaktor

E. Photocurrent gain factor

F. Gain de photocourant

KУФ

-

Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме

ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ

127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода

2Dх

-

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

Sдифф

-

Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения

129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

Sстат

-

Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения

130. Нулевая точка координатного фотодиода

Х0

Х0

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю

131. Выходное сопротивление координатного фотодиода

Rвых

R0

Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения

ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

D. Dunkelstromverstarkungsfaktor der Lawinenphotodiode

E. Darkcurrent multiplication factor of the avalanche photodiode

F. Facteur de multiplication de courant d'obscurite de photodiode a avalanche

мт

мd

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях

133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

D. Pnotostromvervielfachungsfaktor

E. Photocurrent multiplication factor

F. Facteur de multiplication de photocourant

МФ

Мph

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.

Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения

134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung

E. Operating voltage constant keeping accuracy

Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах

135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung

E. Operating voltage temperature coefficient

F. Coefficient de temprature de tension de regime

bU

bU

Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.

Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения

ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ

136. Коэффициент усиления инжекционно-го фотодиода

D. Verstarkungsfaktor der Injectionsphotodiode

E. Injection photodiode gain

F. Gain de photodiode a injection

К

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме

137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

D. Relativer Verstarkungsfaktor

E. Relative gain

F. Gainrelatif

KY

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.

Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений

ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

138. Рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Gesamtverlustleistung

E. Total power dissipation

F. Dissipation totale de puissance

Р

Рtot

Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения

139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Maximal zulassige Verlustleistung

E. Maximum admissible power dissipation

F. Puissance dissipee maximale admissible

Рmax

Рmax

Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

140. Критическая мощность излучения для ФЭПП

Фкрит

-

Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня

141. Динамический диапазон ФЭПП

D. Dynamischer Bereich

E. Dynamic range

F. Gamme dynamique

д

-

Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня

142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

D. Flachenungleichmassigkeit der Empfindlichkeit

E. Spacing response non-uniformity

F. Non-uniformite de la reponse spatiale

-

Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности

143. Нестабильность сопротивления ФЭПП

D. Instabilitatskoefiizient des Widerstandes

E. Resistance unstability coefficient

F. Coefficient de 1'instabilite de resistance

-

Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению

144. Нестабильность темнового тока ФЭПП

D. Instabilitatskoeffizient des Dunkelstromes

E. Dark current unstability coefficient

F. Coefficient de l'instabilite du courant d'obscurite

-

Отношение максимального отклоне ния темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:

145. Нестабильность чувствительности ФЭПП

D. Instabilitatskoeffizient der Empfindlichkeit

E. Response unstability coefficient

F. Coefficient de l'instabilite de la reponse

-

Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению

146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП

D. Temperaturkoeffizient des Photostromes

E. Photocurrent-temperature coefficient

F. Coefficient de temperature du photocourant

aT

-

Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)

147. Световая нестабильность ФЭПП

D. Lichtinstabilitat

E. Light unstability

F. Instabilite lumineuse

v

-

Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении

148. Температура выхода на режим оптической генерации

-

-

-

149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

Е. Cooldown time

tвых

tcd

Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня

150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

D. Unabhangige Betriebszeit

E. Independent operating time

F. Duree d'operation autonome

Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Spektrale Empfindlichkeit

E. Spectral sensitivity

F. Sensibilite spectrale

S (?)

S (?)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения

152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Absolute spektrale Empfrndlichkeitskennlinie

E. Absolute spectral-response characteristic

F. Caracteristique de sensibilite spectrale absolue

Sабс (?)

Sabs (?)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения

153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie

SОПТ (?)

Srel (?)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения

ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП

D. Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Current-voltage characteristic

F. Caracteristique couranttension

I (U)

I (U)

Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Input current-voltage characteristic

F. Caracteristique couranttension d'entree

Iвх (U)

Iin (U)

Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения

156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Output current-voltage characteristic

F. Caracteristique couranttension de sortie

Iвых (U)

I0 (U)

Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения

157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhangigkeit der Empfindlichkeit

E. Bias voltage response characteristic

S (U)

S (U)

Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhangigkeit des Rauschstromes

E. Bias noise current characteristic

IШ (U)

In (U)

Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhangigkeit der Rauschspannung

E. Bias noise voltage characteristic

UШ (U)

Un (U)

Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhangigkeit der Nachweisfahigkeit

E. Bias detectivity characteristic

D* (U)

D* (U)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему

161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода

D. Betriebsspannungsabhangigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode

E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

MT (U), MФ(U)

Md (U), Mph(U)

Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ

162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП

D. Abhangigkeit des Photostroms von dem Strahlungsfluss

E. Photocurrent-radiant flux characteristic

IФ (Ф)

Iph (Ф)

Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭП

163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

D. Abhangigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss

E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic

Uс (Ф)

US (Ф)

Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП

164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

D. Strahlungsflussabhangigkeit des sta-tischen Widerstands

E. Radiant power-static resistance characteristic

Rс (Ф)

RS (Ф)

Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор

165. Люксомическая характеристика фоторезистора

D. Abhangigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstarke

E. Resistance-Illuminance characteristic

RE (E)

RE (E), RH (E)

Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор

166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП

D. Abhangigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstarke

E. Photocurrent-Illuminance characteristic

IФ (E)

Iph (E)

Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП

167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора

Uвх (Ф), Iвх (Ф)

-

Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора

Iвых (Ф)

-

Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Frequenzgang der Empfindlichkeit

E. Frequency response characteristic

F. Caracteristique de frequence de la reponse

S (f)

S (f)

Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

170. Спектр тока шума ФЭПП

D. Rauschstromspektrum

E. Noise current spectrum

F. Spectre du courant de bruit

IШ (f)

In (f)

Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам

171. Спектр напряжения шума ФЭПП

D. Rauschspannungsspektrum

E. Noise voltage spectrum

F. Spectre de la tension de bruit

UШ (f)

Un (f)

Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам

172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

Е. Specific detectivity frequency dependence

D* (f)

D* (f)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. Abhangigkeit des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic

RE (f)

RE (f), RH (f)

Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Abhangigkeit der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Responsivity-background radiant flux characteristic

S (Ф)

S (Ф)

Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП

D. Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Noise current-background radiant flux characteristic

IШ (f)

In (f)

Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Abhangigkeit der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Noise voltage-background radiant flux characteristic

UШ (f)

Un (f)

Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. Abhangigkeit der equivalenten Rau-schleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung

E. NEP-background radiant flux characteristic

Фп1 (Ф)

-

Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона

178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Abhangigkeit der spezifischen Nachweisfahigkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Specific detectivity-background radiant flux characteristic

D* (Ф)

D* (Ф)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands

E. Resistance under illumination-temperature characteristic

RE (T)

RE (T), RH (T)

-

180. Температурная характеристика темпового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands

E. Dark resistance-temperature characteristic

RT (T)

-

-

181. Температурная характеристика темпового тока ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms

E. Dark current-temperature characteristic

IT (T)

Id (T)

-

182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Empfrndlichkeit

E. Responsivity-temperature characteristic

S (T)

S (T)

-

183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Rauschstroms

E. Noise current-temperature characteristic

IШ (T)

In (T)

-

184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Rauschspannung

E. Noise voltage-temperature characteristic

UШ (T)

Un (T)

-

185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenz-hand

E. NEP-temperature characteristic

Фп1 (T)

-

-

186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der spezifischen Nachweisfahigkeit

E. Specific detectivity-temperature characteristic

D* (T)

D* (T)

-

187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода

D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift

E. Zero drift-temperature characteristic

w

w

Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры

ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte Ubergangscharakteristik

E. Normalized transfer charakteristic

F. Caracteristique de transmission normalisee

X0 (T)

X0 (T)

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.

Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte Umkehrubergangscharacteristik

E. Normalized inverse transfer characteristic

F. Caracteristique de transmission inverse normalisee

h0' (t)

-

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.

Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

190. Координатная характеристика координатного фотодиода

Uвых (X)

-

Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода

191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода

Дрейф нуля

D. Nullpunktdrift

E. Zero drift

x0 (t)

x0 (t)

Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени

192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

D. Empfindlichkeitsoberflachenverteilung

E. Responsivity surface distribution

F. Distribution superficielle de la reponse

S (x, у)

S (x, у)

Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе

193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Empfindlichkeitswinkelverteilung

E. Responsivity directional distribution

F. Distribution directionnelle de la reponse

S (?)

S (?)

Зависимость чувствительности ФЭПП от утла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента

На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

** Термины 64 - 74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность Sии т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Su?(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности SIEи токовая чувствительность к световому потоку SuФ (комбинация терминов 68 с 65 и 67).



Реклама

Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.

В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.

*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102 - 125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

150

Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

149

Время нарастания

91

Время нарастания ФЭПП

91

Время спада

92

Время спада ФЭПП

92

Время установления

93

Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к

93

Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

41

Вывод ФЭПП

41

Выход фотоприемного устройства

48

Диапазон ФЭПП динамический

141

Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная

47

Диафрагма ФЭПП апертурная

47

Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

84

Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая

86

Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая

85

Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной

191

Дрейф нуля

191

Емкость ФЭПП

95

Зазор многоэлементного ФЭПП межэлементный

99

Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная

127

Контакт фоточувствительного элемента

42

Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

42

Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

43

Корпус ФЭПП

43

Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

137

Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный

135

Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

132

Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

133

Коэффициент усиления инжекционного фотодиода

136

Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

126

Коэффициент фототока ФЭПП температурный

146

Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

100

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная

128

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая

129

Мощность излучения для ФЭПП критическая

140

Мощность ФЭПП рассеиваемая

138

Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая

139

Наклон люксомической характеристики фоторезистора

75

Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное

106

Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное

105

Напряжение на базе фототранзистора

104

Напряжение на коллекторе фототранзистора

102

Напряжение на эмиттере фототранзистора

103

Напряжение фотодиода пробивное

50

Напряжение фотосигнала ФЭПП

61

Напряжение ФЭПП максимально допустимое

51

Напряжение ФЭПП рабочее

49

Напряжение шума ФЭПП

87

Напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное

107

Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное

108

Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

142

Нестабильность сопротивления ФЭПП

143

Нестабильность темпового тока ФЭПП

144

Нестабильность ФЭПП световая

147

Нестабильность чувствительности ФЭПП

145

Область спектральной чувствительности ФЭПП

87

Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное

46

Окно ФЭПП входное

46

Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная

88

Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

45

Подложка ФЭПП

45

Поле зрения ФЭПП эффективное

90

Порог

78

Порог в единичной полосе частот

79

Порог удельный

80

Порог чувствительности ФЭПП

78

Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

79

Порог чувствительности ФЭПП радиационный

83

Порог чувствительности ФЭПП удельный

80

Прибор полупроводниковый фоточувствительный

1

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический

2

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный

8

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный

9

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный

7

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный

4

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный

6

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный

5

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый

20

Прочность изоляции ФЭПП электрическая

52

p-i-n фотодиод

12

Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

101

Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

192

Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

36

Режим короткого замыкания ФЭПП

36

Режим ОГ

30

Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

29

Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

39

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

39

Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

30

Режим ОФ

29

Режим работы фотодиода лавинный

33

Режим работы фототранзистора с плавающей базой

35

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

38

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

38

Режим ТГ

31

Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

31

Режим фотогальванический

34

Режим фотодиодный

32

Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

37

Режим холостого хода ФЭПП

37

Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный

25

Сопротивление координатного фотодиода выходное

131

Сопротивление фотодиода последовательное

96

Сопротивление фотодиода при нулевом смещении

56

Сопротивление ФЭПП световое

57

Сопротивление ФЭПП статическое

54

Сопротивление ФЭПП темновое

55

Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное

53

Спектр напряжения шума ФЭПП

171

Спектр тока шума ФЭПП

170

Способность ФЭПП обнаружительная

81

Способность ФЭПП обнаружительная удельная

82

Температура выхода на режим оптической генерации

148

Ток базы фототранзистора общий

121

Ток базы фототранзистора темповой

111

Ток коллектора фототранзистора общий

119

Ток коллектора фототранзистора темповой

109

Ток коллектор-база фототранзистора общий

123

Ток коллектор-база фототранзистора темповой

113

Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий

122

Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темповой

112

Ток фотосигнала ФЭПП

62

Ток ФЭПП общий

60

Ток ФЭПП темновой

58

Ток шума ФЭПП

76

Ток эмиттер-база фототранзистора темновой

114

Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой

115

Ток эмиттера фототранзистора общий

120

Ток эмиттера фототранзистора темновой

110

Точка координатного фотодиода нулевая

130

Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

134

Угол зрения ФЭПП плоский

89

Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное

23

Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное

22

Устройство фотоприемное

3

Устройство фотоприемное гибридное

28

Устройство фотоприемное многоспектральное

24

Устройство фотоприемное монолитное

27

Устройство фотоприемное одноэлементное

21

Устройство фотоприемное охлаждаемое

26

Фотодиод

11

Фотодиод инжекционный

16

Фотодиод лавинный

15

Фотодиод с барьером Шоттки

13

Фотодиод с гетеропереходом

14

Фоторезистор

10

Фототок базы фототранзистора

118

Фототок коллектора фототранзистора

116

Фототок ФЭПП

59

Фототок эмиттера фототранзистора

117

Фототранзистор

17

Фототранзистор биполярный

19

Фототранзистор полевой

18

ФПУ

3

ФПУ гибридное

28

ФПУ многоспектральное

24

ФПУ монолитное

27

ФПУ одноэлементное

21

ФПУ охлаждаемое

26

ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное

23

ФПУ с разделенными каналами многоэлементное

22

ФЭПП

2

ФЭПП гетеродинный

8

ФЭПП иммерсионный

9

ФЭПП координатный

7

ФЭПП многоспектральный

4

ФЭПП многоэлементный

6

ФЭПП одноэлементный

5

ФЭПП охлаждаемый

20

Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная

187

Характеристика координатного фотодиода координатная

190

Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая

161

Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая

163

Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая

159

Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная

184

Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая

176

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная

185

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая

177

Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная

179

Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая

173

Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая

164

Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная

180

Характеристика темнового тока ФЭПП температурная

181

Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая

158

Характеристика тока шума ФЭПП температурная

183

Характеристика тока шума ФЭПП фоновая

175

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая

160

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная

186

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая

178

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная

172

Характеристика фоторезистора люксомическая

165

Характеристика фототока ФЭПП энергетическая

162

Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная

155

Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная

156

Характеристика фототранзистора энергетическая входная

167

Характеристика фототранзистора энергетическая выходная

168

Характеристика ФЭПП вольт-амперная

154

Характеристика ФЭПП люксамперная

166

Характеристика ФЭПП нормированная переходная

188

Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная

189

Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая

157

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная

151

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная

152

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная

153

Характеристика чувствительности ФЭПП температурная

182

Характеристика чувствительности ФЭПП угловая

193

Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая

174

Характеристика чувствительности ФЭПП частотная

169

Частота ФЭПП предельная

94

Число элементов ФЭПП

97

Чувствительность фототранзистора вольтовая

125

Чувствительность фототранзистора токовая

124

Чувствительность ФЭПП

63

Чувствительность ФЭПП вольтовая

69

Чувствительность ФЭПП дифференциальная

73

Чувствительность ФЭПП импульсная

74

Чувствительность ФЭПП интегральная

70

Чувствительность ФЭПП к облученности

66

Чувствительность ФЭПП к освещенности

67

Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

64

Чувствительность ФЭПП к световому потоку

65

Чувствительность ФЭПП монохроматическая

71

Чувствительность ФЭПП статическая

72

Чувствительность ФЭПП токовая

68

Шаг элементов ФЭПП

98

Элемент фоточувствительный

40

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный

44

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный

40

Элемент ФЭПП иммерсионный

44

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit der normierter Umkehrubergangskennlinie

92

Abhangigkeit der Empfindlichkeit von dem Hmtergrundstrahlungsfluss

174

Abhangigkeit der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung

177

Abhangigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss

163

Abhangigkeit der Rauschspannung von dem Hmtergrundstrahlungsfluss

176

Abhangigkeit der spezifischen Nachweisfahigkeit von dem Hmtergrundstrahlungsfluss

178

Abhangigkeit des Hellwiderstands von dem Hmtergrundstrahlungsfluss

173

Abhangigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstarke

165

Abhangigkeit des Photostroms von dem Strahlungsfluss

162

Abhangigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstarke

166

Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hmtergrundstrahlungsfluss

175

Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie

152

Ansprechempfindlichkeit

63

Anstiegszeit der normierten Ubergangskennlinie

91

Aperturblende des Photoempfangers

47

Aquivalente Pvauschleistung

78

Aquivalente Pvauschleistung im Einheitsfrequenzband

79

Ausgangs- Strom- Spannungs-Kennlinie

156

Basisdunkelstrom

111

Basisfotostrom eines Phototransistors

118

Basisgesamtstrom eines Phototransistors

121

Basisspannung

104

BeleuchtungsstarkeempfindUchkeit

67

BestrahlungsstarkeempfindUchkeit

66

Betriebsspannung

49

Betriebsspannungsabhangigkeit der Empfindlichkeit

157

Betriebsspannungsabhangigkeit der Nachweisfahigkeit

160

Betriebsspannungsabhangigkeit der Rauschspannung

159

Betriebsspannungsabhangigkeit des Rauschstromes

158

Betriebsspannungsabhangigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode

161

Bipolarphototransistor

19

Differentielle Empfindlichkeit

73

Differentieller elektrischer Widerstand

53

Dunkelstrom

58

Dunkelstromverstarkungsfaktor der Lawinenphotodiode

132

Dunkelwiderstand

55

Durchbruchspannung einer Photodiode

50

Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoempfangers

29

Dynamischer Bereich

141

Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel

90

Effektivflache des Fuhlelements

88

Einelementphotoempfanger

5

Eingangs- Strom- Spannungs-Kennlinie

155

Einstellzeit der normierten Ubergangskennlinie

93

Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

114

Emitter-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors

107

Emitterdunkelstrom

110

Emittergesamtstrom eines Phototransistors

120

Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

115

Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Phototransistors

108

Emitterphotostrom eines Phototransistors

117

Emitterspannung

103

Empfindlichkeitsoberflachenverteilung

192

Empfindlichkeitswinkelverteilung

193

Flachenungleichmassigkeit der Empfindlichkeit

142

Frequenzgang der Empfindlichkeit

169

Fuhlelementenabstand

99

Fuhlelementenanzahl

97

Gekuhlter Photoempfanger

20

Gesamtempfindlichkeit

70

Gesamtstrom

60

Gesamtverlustleistung

138

Gesichtsfeldwinkel

89

Grenzfrequenz

94

Halbleiterphotoelement

2

Hellwiderstand

57

Immersionsphotoempfanger

9

Impulsempfindlichkeit

74

Injektionsphotodiode

16

Instabilitatskoeffizient der Empfindlichkeit

145

Instabilitatskoeffizient des Dunkelstromes

144

Instabilitatskoeffizient des Widerstandes

143

Isolationsfestigkeit

52

Kapazitat

95

Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

113

Kollektor-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors

106

Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

123

Kollektordunkelstrom

109

Kollektor- Emitter- Dunkelstrom eines Phototransistors

112

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Phototransistors

105

Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

122

Kollektorfotostrom eines Phototransistors

116

Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors

119

Kollektorspannung

102

Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung

134

Kurzschlussbetrieb des Photoempfangers

36

Kurzwellengrenze

85

Langwellengrenze

86

Lawinenphotodiode

15

Leerlaufbetrieb des Photoempfangers

37

Lichtempfindliches Element eines Photoempfangers

40

Lichtinstabilitat

147

Lichtstromempfindlichkeit

65

Maximal zulassige Spannung

51

Maximal zulassige Verlustleistung

139

Monochromatische Empfindlichkeit

71

Multispektralphotoempfanger

4

Nachweisfahigkeit

81

Normierte Ubergangscharakteristik

188

Normierte Umkehrubergangscharakteristik

189

Nullpunktdrift

191

Nullpunktwiderstand einer Photodiode

56

Nullvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

34

Ortsempfindlicher Photoempfanger

7

Parameterstreuung

101

Photodiode

11

Photodiode mit Heteroubergang

14

Photoelektrischer Kopplungsfaktor

100

Photoempfangeranschluss

41

Photoempfangerbetriebsweise bei Anpassung

38

Photoempfangerbetriebsweise bei Uberlagerungsempfang

39

Photoempfangereingangsfenster

46

Photoempfangergehause

43

Photoempfangerimmersionselement

44

Phtoempfindliches Halbleiterbauelement

1

Photofeldeffekttransisfor

18

Photosignalstrom

62

Photostrom

59

Photostromverstarkungsfaktor

126

Photostromvervielfachungsfaktor

133

Phototransistor

17

Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis

35

Photowiderstand

10

Pin-Photodiode

12

Rastermass

98

Rauschspannung

77

Rauschspannungsspektrum

171

Rauschstrom

76

Rauschstromspektram

170

Reihenwiderstand einer Photodiode

96

Relativer Verstarkungsfaktor

137

Relative spectral Empfindlichkeitskennlinie

153

Schichttrager des Photoempfangers

45

Schottkv-Photodiode

13

Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors

125

Spektrale Empfindlichkeit

151

Spektraler Empfidlichkeitsbereich

87

Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

32

Spezifische aquivalente Rauschleistung

80

Spezifische Nachweisfahigkeit

82

Statische Empfindlichkeit

72

Statischer Widerstand

54

Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie

75

Strahlungsflussabhangigkeit des statischen Widerstands

164

StrahlungsfluPempfindhchkeit

64

Stromempfindlichkeit

68

Stromempftndlichkeit eines Phototransistors

124

Strom- Spannung-Kennlinie

154

Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung

135

Temperaturkoeffizient des Photostromes

146

Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband

185

Temperaturverlauf der EmpfindUchkeit

182

Temperaturverlauf der Nullpunktdrift

187

Temperaturverlauf der Rauschspannung

184

Temperaturverlauf der spezifischen Nachweisfahigkeit

186

Temperaturverlauf des Dunkelstroms

181

Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands

180

Temperaturverlauf des Hellwiderstands

179

Temperaturverlauf des Rauschstroms

183

Tragerlawinenzustand der Photodiode

33

Uberlagerungsphotoempfanger

8

Unabhangige Betriebszeit

150

Verstarkungsfaktor der Injektionsphotodiode

136

Vielelementphotoempfanger

6

Wellenlange der maximalen Spektralempfindlichkeit

84

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Absolute spectral-response characteristic

152

Angular field of view

89

Avalanche mode of photodiode operation

33

Avalanche photodiode

15

Back-biased mode of photovoltaic detector operation

32

Background limited photodetector

29

Base dark current

111

Base photocurrent of a phototransistor

118

Base total current of a phototransistor

121

Base voltage

104

Bias detectivity characteristic

160

Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

161

Bias noise current characteristic

158

Bias noise voltage characteristic

159

Bias voltage response characteristic

157

Bipolar phototransistor

19

BLIP

33

Breakdown voltage of a photodiode

50

Capacitance

95

Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

106

Collector-base dark current of a phototransistor

113

Collector-base total current of a phototransistor

123

Collector dark current

109

Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor

105

Collector-emitter dark current of a phototransistor

112

Collector-emitter total current of a phototransistor

122

Collector photocurrent of a phototransistor

116

Collector total current of a phototransistor

119

Collector voltage

102

Cooldown time

149

Cooled detector

20

Current responsivity

68

Current responsivity of the phototransistor

124

Current-voltage characteristic

154

Cut-off frequency

94

Dapk current

58

Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode

132

Dark current-temperature characteristic

181

Dark current unstability coefficient

144

Dark resistance

55

Dark resistance-temperature characteristic

180

Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

92

Detectivity

81

Detector aperture stop

47

Detector-film base

45

Detector optical immersion element

44

Detector sensitive element

40

Detector terminal

41

Detector window

46

Differential electrical resistance

53

Differential responsivity

73

Dynamic range

141

Effective area of the responsive element

88

Effective weighted solid angle

90

Element number

97

Element spacing

99

Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

107

Emitter-base dark current of a phototransistor

114

Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

108

Emitter-collector dark current of a phototransistor

115

Emitter dark current

110

Emitter photocurrent of a phototransistor

117

Emitter total current of a phototransistor

120

Emitter voltage

103

Field effect phototransistor

18

Figure of merit straggling

101

Floating-base phototransistor operation

35

Frequency response characteristic

169

Heterodyne detector

8

Heterodyne reception mode of detector operation

39

Heterojunction photodiode

14

Illuminance-resistance characteristique slope

75

Illumination responsivity

67

Immersed detector

9

Independent operating time

150

Injection photodiode

16

Injection photodiode gain

136

Input current-voltage characteristic

155

Insulating strength

52

Irradiance responsivity

66

Light unstability

147

Long wavelength limit

86

Luminous flux responsivity

65

Matched impedance mode of detector operation

38

Maximum admissible power dissipation

139

Maximum admissible voltage

51

Monochromatic responsivity

71

Multi-band photodetector

4

Multi-element detector

6

NEP-background radiant flux characteristic

177

NEP-temperature characteristic

185

Noise current

76

Noise current-background radiant flux characteristic

175

Noise current spectrum

170

Noise current-temperature characteristic

183

Noise equivalent power

78

Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)

83

Noise voltage

77

Noise voltage-background radiant flux characteristic

176

Noise voltage spectrum

171

Noise voltage-temperature characteristic

184

Normalized inverse transfer characteristic

189

Normalized transfer characteristic

188

Open-circuit mode of detector operation

37

Operating voltage

49

Operating voltage constant keeping accuracy

134

Operating voltage temperature coefficient

135

Output current-voltage characteristic

156

Peak spectral response wavelength

84

Photoconductive cell

10

Photocurrent

59

Photocurrent gain factor

126

Photocurrent-illuminance characteristic

166

Photocurrent multiplication factor

133

Photocurrent-radiant flux characteristic

162

Photocurrent-temperature coefficient

146

Photodetector package

43

Photodiode

11

Photoelectric coupling coefficient

100

Photoelectric semiconductor detector

2

Photoelectric signal current

62

Photoelectric signal voltage

61

Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic

163

Photosensitive semiconductor device

1

Phototransistor

17

Pin-photodiode

12

Pitch

98

Position-sensitive detector

7

Pulse responsivity

74

Radiant flux responsivity

64

Radiant power-static resistance characteristic

164

Relative gain

137

Resistance-illuminance characteristic

165

Resistance under illumination

57

Resistance under illumination-background radiant flux characteristic

173

Resistance under illumination-temperature characteristic

179

Resistance unstability coefficient

143

Response unstability coefficient

145

Responsivity

63

Responsivity-background radiant flux characteristic

174

Responsivity directional distribution

193

Responsivity surface distribution

192

Responsivity-temperature characteristic

182

Rise time of the normalized transfer characteristic

91

Schottky-Barrier-Photodiode

13

Short-circuit mode of detector operation

36

Short-wavelength limit

85

Series resistance

96

Set-up time of the normalized transfer characteristic

93

Single-element detector

5

Spacing response non-uniformity

142

Specific detectivity

82

Specific detectivity-background radiant flux characteristic

178

Specific detectivity frequency dependence

172

Specific detectivity-temperature characteristic

186

Specific noise equivalent power

80

Spectral sensitivity

151

Spectral sensitivity range

87

Static resistance

54

Static responsivity

72

Total current

60

Total power dissipation

138

Total responsivity

70

Unit frequency bandwidth noise equivalent power

79

Voltage responsivity

69

Voltage responsivity of the phototransistor

125

Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

34

Zero-bias resistance of a photodiode

56

Zero drift

191

Zero drift-temperature characteristic

187

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Aire efficace de l'element detecteur

88

Angle d'ouverture

89

Angle solide efficace

90

Boitier du detecteur

43

Branchement du detecteur

41

Capacite

95

Caracteristique courant-tension

154

Caracteristique courant-tension d'entree

155

Caracteristique courant-tension de sortie

156

Caracteristique de frequence de la reponse

169

Caracteristique de sensibilite spectrale absolue

152

Caracteristique de transmission inverse normalisee

189

Caracteristique de transmission normalisee

188

Cellule photoinductive

10

Coefficient de couplage photoelectrique

100

Coefficient de l'instabilite de la reponse

145

Coefficient de l'instabilite de resistance

143

Coefficient de l'instabilite du courant d'obscurite

144

Coefficient de temperature de tension de regime

135

Coefficient de temperature du photocourant

146

Courant de bruit

76

Courant de signal photoelectrique

62

Courant d'obscurite

58

Courant dobscurite collecteur-base de phototransistor

113

Courant d'obscurite collecteur-emetteur de phototransistor

112

Courant d'obscurite de base

111

Courant d'obscurite d'emetteur

110

Courant d'obscurite du collecteur

109

Courant d'obscurite emetteur-base de phototransistor

114

Courant d'obscurite emetteur-collecteur de phototransistor

115

Courant total

60

Courant total collecteur-base de phototransistor

123

Courant total collecteur-emetteur de phototransistor

122

Courant total de base de phototransistor

121

Courant total d'emetteur de phototransistor

120

Courant total du collecteur de phototransistor

119

Detecteur a element unique

5

Detecteur a immersion

9

Detecteur a semi-conducteur photoelectrique

2

Detecteur heterodyne

8

Detecteur multiple

6

Detectivite

81

Detectivite reduite

82

Diaphragme d'ouverture du detecteur

47

Dispersion de figure de merite

101

Dispositif semiconducteur photosensible

1

Dissipation totale de puissance

138

Distribution directionnelle de la reponse

193

Distribution superficielle de la reponse

192

Duree d'operation autonome

150

Ecartement

98

Element a immersion du detecteur

44

Element sensible du detecteur

40

Espacement des elements

99

Facteur de multiplication de courant d'obscurite de photo-diode a avalanche

132

Facteur de multiplication de photocourant

133

Fenetre du detecteur

46

Fonctionnement du detecteur a circuit ouvert

37

Fonctionnement du detecteur a court-circuit

36

Frequence de coupure

94

Gain de photocourant

126

Gain de photodiode a injection

136

Gain relatif

137

Gamme dynamique

141

Instabilite lumineuse

147

Longueur d'onde de la sensibilite spectrale maximale

84

Nombre des elements

97

Non-uniformite de la reponse spatiale

142

Part sensible spectrale

87

Pente de caracteristique eclairement-resistance

75

Photocourant

59

Photocourant de base de phototransistor

118

Photocourant d'emetteur de phototransistor

117

Photocourant du collecteur de phototransistor

116

Photodetecteur a plusieurs gammes

4

Photodetecteur refroidi

20

Photodiode

11

Photodiode a avalanche

15

Photodiode d'injection

16

Phototransistor

17

Phototransistor a effet de champ

18

Phototransistor bipolaire

19

Pin-photodiode

12

Puissance dissipee maximale admissible

139

Puissance equivalente au bruit

78

Puissance equivalente au bruit dans une bande passante des frequences unitaires

79

Puissance equivalente au bruit du philra detecteur

83

Puissance reduite equivalente au bruit

80

Regime de fonctionnement du detecteur d'operation

39

Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de charge

38

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique

34

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique au contretension de polarisation

32

Regime du phototransistor de basis fiottante

35

Regime photodetecteur infrarouge limite par le rayonnement ambiant

29

Reponse

63

Reponse a l'eclairement energetique

66

Reponse a l'eclairenrent lumineux

67

Reponse au flux energetique

64

Reponse au flux lumineux

65

Reponse differentielle

73

Reponse d'impulsions

74

Reponse en courant

68

Reponse en courant du phototransistor

124

Reponse en tension

69

Reponse en tension du phototransistor

125

Reponse globale

70

Reponse monochromatique

71

Reponse statique

72

Resistance differentielle electrique

53

Resistance d'obscurite

55

Resistance du point zero de photodiode

56

Resistance serie

96

Resistance sous eclairement

57

Resistance statique

54

Rigidite d'isolement

52

Sensibilite spectrale

151

Spectre de la tension de bruit

171

Spectre du courant de bruit

170

Temps de descente de caracteristique de transmission inverse normalisee

92

Temps de montee de caracteristique de transmission normalisee

91

Temps d'etablissement de caracteristique de transmission normalisee

93

Tension de base

104

Tension de bruit

77

Tension de claquage collecteur-base de phototransistor

106

Tension de claquage collecteur-emetteur de phototransistor

105

Tension de claquage de photodiode

50

Tension de claquage emetteur-base de phototransistor

107

Tension de claquage emetteur-collecteur de phototransistor

108

Tension d'emetteur

103

Tension de regime

49

Tension de service

49

Tension de signal photoelectrique

61

Tension du collecteur

102

Tension maximale admissible

51

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1



Реклама

Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Термин

Пояснение

1. Электромагнитное излучение

Процесс испускания электромагнитных волн.

Примечание. Под термином «электромагнитное излучение» следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.

2. Оптическое излучение

Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-9 - 10-3 м.

Примечание. В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем

3. Ультрафиолетовое излучение

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-9 - 4·10-7 м

4. Видимое излучение

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10-7 - 7,6·10-7 м

5. Инфракрасное излучение

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10-7 - 10-3 м

6. Равновесное излучение

Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии

7. Немодулированное излучение

Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения

8. Модулированное излучение

Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов

9. Фотоэлектрический эффект

Фотоэффект

Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов

10. Внутренний фотоэлектрический эффект

Внутренний эффект

Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов

11. Эффект проводимости

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом

12. Фотогальванический эффект

Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.

Примечание. Под термином «фотоносители» следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения

13. Фотопроводимость

Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения

14. Собственная фотопроводимость

Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения

15. Примесная фотопроводимость

Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения

16. Фотоэлектродвижущая сила

Фото-ЭДС

Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р-п переходе под действием оптического излучения

17. Фотосигнал

Реакция приемника на оптическое излучение

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное



Реклама

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СТ СЭВ 2767-80

Пп. 10, 11, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп. 1.5.8, 1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.

СОДЕРЖАНИЕ

Приложение 1 Общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств. 40

Приложение 2 Информационные данные о соответствии ГОСТ 21934-83 и СТ СЭВ 2767-80. 41




Реклама: ;


Самые популярные документы раздела



Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика